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晶体管
RGS00TS65DHRC11参考图片

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RGS00TS65DHRC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V
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数量单价合计
1
¥33.1203
33.1203
10
¥28.1257
281.257
100
¥24.3628
2436.28
250
¥23.1311
5782.775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
88 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
88 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGS00TS65DHR
商品其它信息
优势价格,RGS00TS65DHRC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
4,800:¥6.1585
9,600:查看
参考库存:9691
晶体管
IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4805
参考库存:5021
晶体管
MOSFET 350V 25Ohm
1:¥9.9892
10:¥9.831
25:¥8.2942
100:¥7.5145
参考库存:6404
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:18321
晶体管
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.7233
参考库存:11237
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