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晶体管
TK100A06N1,S4X参考图片

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TK100A06N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh 2.2ohm VGS10V10uAVDS60V
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库存：3,948(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.131
21.131
10
¥16.9839
169.839
100
¥13.6052
1360.52
500
¥11.9102
5955.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK100A06N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK100A06N1,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD86311W1723
Texas Instruments
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Nex FET Pwr MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.424
500:¥4.7912
3,000:¥3.3561
9,000:查看
参考库存:3186
TIP31BG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 80V 40W NPN
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
参考库存:2963
FQB50N06LTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
1:¥8.4524
10:¥7.232
100:¥5.5596
500:¥4.9155
800:¥3.8759
参考库存:4329
IRFD024PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD024
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥5.989
500:¥5.1528
参考库存:5039
TP2540N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 400V 25Ohm
1:¥10.3734
10:¥10.2152
25:¥8.6106
100:¥7.8422
参考库存:2947
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