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晶体管
FGH15T120SMD-F155参考图片

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FGH15T120SMD-F155

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库存:4,059(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.7358
267.358
100
¥23.2102
2321.02
250
¥21.9785
5494.625
500
¥19.7524
9876.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247G03-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH15T120SMD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH15T120SMD_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH15T120SMD-F155的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Gen Pur Trans PNP,0.8A,45V
1:¥1.1526
25:¥1.07576
100:¥0.9605
250:¥0.88366
参考库存:9215
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥219.6042
5:¥209.7732
10:¥203.1627
25:¥186.7212
参考库存:1754
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:51654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.4634
10:¥1.695
100:¥0.70738
1,000:¥0.48364
3,000:¥0.37629
参考库存:37706
晶体管
MOSFET 30V,NCh NexFET Power MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.1981
2,500:¥5.5596
5,000:查看
参考库存:4440
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