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晶体管
BSO110N03MSGXUMA1参考图片

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BSO110N03MSGXUMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
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库存:13,595(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3449
53.449
100
¥3.4465
344.65
1,000
¥2.7685
2768.5
2,500
¥2.7685
6921.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12.1 A
Rds On-漏源导通电阻
9.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
4.4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
零件号别名
BSO110N03MS BSO11N3MSGXT G SP000446062
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO110N03MSGXUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
1:¥94.355
10:¥86.8292
25:¥83.2132
100:¥73.3031
参考库存:3414
晶体管
IGBT 晶体管 650V 40A Field Stop Trench IGBT
1:¥35.8888
10:¥30.51
100:¥26.4307
250:¥25.1312
500:¥22.5096
参考库存:4282
晶体管
MOSFET P-CH. MOSFET BVDSS: 25V-30V, AEC-Q101
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:11598
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS4 Trench IGBT
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:3666
晶体管
MOSFET PFET DPAK 60V 12A
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
2,500:¥2.2035
参考库存:9013
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