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晶体管
FGY160T65SPD-F085参考图片

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FGY160T65SPD-F085

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库存:4,843(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥80.6029
80.6029
10
¥74.1506
741.506
25
¥71.077
1776.925
100
¥62.6246
6262.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
240 A
Pd-功率耗散
882 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGY160T65S_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGY160T65SPD_F085
单位重量
6.100 g
商品其它信息
优势价格,FGY160T65SPD-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:25378
晶体管
达林顿晶体管 15A 150V Bipolar Power PNP
1:¥26.1256
10:¥22.2045
100:¥19.2891
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:4493
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:4438
晶体管
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
1:¥2.8476
10:¥2.0114
100:¥0.92208
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.60681
参考库存:13021
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:20206
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