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晶体管
DMP3036SSD-13参考图片

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DMP3036SSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
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库存:6,838(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.7686
47.686
100
¥3.0736
307.36
1,000
¥2.4634
2463.4
2,500
¥2.4634
6158.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP3036
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
31.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
8.2 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,DMP3036SSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -50V 250mW
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:229184
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
1:¥54.7824
10:¥49.5618
25:¥47.2566
100:¥41.0303
参考库存:2331
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.1735
5:¥184.4951
10:¥178.7321
25:¥164.2794
参考库存:2399
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 44nC
1:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥15.142
500:¥13.221
1,000:¥10.9836
4,000:¥10.9836
参考库存:9987
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥415.4784
5:¥392.9575
10:¥388.5053
25:¥359.3061
参考库存:2495
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