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晶体管
SI4202DY-T1-GE3参考图片

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SI4202DY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
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库存:5,476(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥8.9157
89.157
100
¥6.7913
679.13
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥5.1302
5130.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12.1 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI4
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SI4202DY-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI4202DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.1472
10:¥4.9607
100:¥3.7742
500:¥3.1075
3,000:¥2.26
6,000:查看
参考库存:9017
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
2,000:¥1.08367
参考库存:11005
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:7821
晶体管
MOSFET
1:¥48.7934
10:¥41.4936
100:¥35.9566
250:¥34.1147
2,000:¥24.5097
参考库存:5023
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 5.0/20 mA 30mS 15pF
1:¥99.3496
10:¥83.5296
100:¥76.84
250:¥70.0826
参考库存:3091
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