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晶体管
RGTV00TK65GVC11参考图片

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RGTV00TK65GVC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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数量单价合计
1
¥41.4145
41.4145
10
¥35.1882
351.882
100
¥30.51
3051
250
¥28.8941
7223.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PFM
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
Pd-功率耗散
94 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
45 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGTV00TK65GVC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode
5,000:¥1.9662
10,000:¥1.808
25,000:¥1.7289
参考库存:29776
晶体管
达林顿晶体管 . .
4,000:¥1.6046
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4238
50,000:¥1.3786
参考库存:29779
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥853.9975
参考库存:29782
晶体管
MOSFET SMD Small Sig Mosfet Dual P-Ch Enh Mode
5,000:¥1.2317
10,000:¥1.1413
25,000:¥1.08367
50,000:¥1.05994
参考库存:29785
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥408.8679
参考库存:29788
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