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晶体管
RGTV00TK65GVC11参考图片

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RGTV00TK65GVC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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数量单价合计
1
¥41.4145
41.4145
10
¥35.1882
351.882
100
¥30.51
3051
250
¥28.8941
7223.525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PFM
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
Pd-功率耗散
94 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
45 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，RGTV00TK65GVC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N2605/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥165.6693
250:¥151.985
500:¥144.6852
参考库存:38860
JANTXV2N2218AL/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
142:¥101.3497
250:¥92.434
500:¥86.445
1,000:¥79.3034
参考库存:38863
RN2119MFV(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor
暂无价格
参考库存:38866
STB18NM60ND
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晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II
1:¥40.4201
10:¥34.352
100:¥29.8094
250:¥28.2726
1,000:¥21.357
2,000:查看
参考库存:4904
JAN2N4854U/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥1,983.8506
参考库存:38871
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