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晶体管
IPB17N25S3100ATMA1参考图片

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IPB17N25S3100ATMA1

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库存:3,118(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.3111
3655.55
1,000
¥6.0681
6068.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
XPB17N25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
1.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.5 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
IPB17N25S3-100 IPB17N25S31XT SP000876560
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB17N25S3100ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 30A 250V Bipolar Power PNP
1:¥53.788
10:¥48.6352
50:¥46.33
100:¥40.2619
参考库存:1927
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.8024
100:¥1.7628
500:¥1.4238
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:3576
晶体管
MOSFET 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET
1:¥8.8366
10:¥7.5823
100:¥5.8195
500:¥5.1528
参考库存:2600
晶体管
MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch
1:¥8.8366
10:¥7.2659
100:¥5.5709
500:¥4.7912
参考库存:2286
晶体管
MOSFET 1200V 80m? SiC Cascode Fast
1:¥252.0352
5:¥240.7352
10:¥233.2094
25:¥214.3045
参考库存:1719
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