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晶体管
SQJ415EP-T1_GE3参考图片

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SQJ415EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥5.8421
58.421
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.6612
1830.6
3,000
¥2.6555
7966.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
95 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
37 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
67 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格，SQJ415EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥2.147
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10:¥1.1639
100:¥0.4068
1,000:¥0.27685
参考库存:18849
SIB422EDK-T4-GE3
Vishay / Siliconix
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MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.5313
10:¥3.4465
100:¥2.5538
500:¥2.1018
3,000:¥1.4803
6,000:查看
参考库存:18852
BC807-40LWF
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807-40LW/SOT323/SC-70
10,000:¥0.18419
30,000:¥0.1695
50,000:¥0.14577
100,000:¥0.12317
参考库存:18855
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