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晶体管
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IPW65R041CFD

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
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数量单价合计
1
¥89.1344
89.1344
10
¥81.9928
819.928
25
¥78.535
1963.375
100
¥69.2351
6923.51
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
68.5 A
Rds On-漏源导通电阻
37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
300 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
127 ns
典型接通延迟时间
34 ns
零件号别名
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R41CFDXK SP000756288
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IPW65R041CFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTCV40H60CT1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥474.0237
参考库存:29369
TSM70N750CH C5G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 6A, 750mOhm
15,000:¥4.7121
参考库存:29372
VS-GT120DA65U
Vishay Semiconductors
晶体管
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160:¥182.1108
320:¥167.0479
参考库存:29375
2SB1183TL
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晶体管
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1:¥6.8365
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
2,500:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:29378
APTGT400A120D3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,615.4819
参考库存:29381
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