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晶体管
IPD135N03L G参考图片

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IPD135N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS 3
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库存：6,823(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.3618
43.618
100
¥2.8137
281.37
1,000
¥2.2487
2248.7
2,500
¥1.8984
4746
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
IPD135N03LGBTMA1 IPD135N3LGXT SP000236951
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD135N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5190G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 4A 40V
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
参考库存:5080
2N6476
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1:¥14.7578
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
参考库存:3999
IRFZ24SPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch
1:¥19.1309
10:¥15.9104
100:¥12.2944
500:¥10.8367
1,000:¥8.9157
参考库存:3934
IRLZ44PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
1:¥15.9104
10:¥13.221
参考库存:3998
2SC5658T2LR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 150MA
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
8,000:¥0.50737
24,000:查看
参考库存:13241
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