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晶体管
SIHG73N60AE-GE3参考图片

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SIHG73N60AE-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥88.2869
88.2869
10
¥79.4503
794.503
25
¥72.3878
1809.695
100
¥65.3931
6539.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
394 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
114 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
96 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
212 ns
典型接通延迟时间
43 ns
商品其它信息
优势价格,SIHG73N60AE-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 2A
1:¥6.8365
10:¥5.6726
100:¥3.6612
1,000:¥2.9267
2,500:¥2.4747
参考库存:3552
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥33.3463
10:¥28.3517
100:¥24.5888
250:¥23.278
500:¥20.905
参考库存:1477
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥6.6896
10:¥5.763
100:¥4.4296
500:¥3.9098
1,500:¥2.7459
9,000:查看
参考库存:2777
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TransDigital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:4269
晶体管
MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA
1:¥2.8476
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:19352
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