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晶体管
NTR4101PT1G参考图片

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NTR4101PT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -20V -3.2A P-Channel
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库存:17,052(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.3278
23.278
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
112 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
730 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTR4101P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
7.5 S
下降时间
12.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30.2 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,NTR4101PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz
1:¥48.7934
10:¥44.1039
25:¥42.036
100:¥36.499
参考库存:3008
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
1:¥26.4307
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
参考库存:2544
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
1:¥8.6106
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
参考库存:5866
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥78.6028
10:¥71.077
25:¥67.7774
100:¥58.8617
参考库存:2900
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
2,000:¥1.3673
参考库存:3086
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