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晶体管
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ZVP2106A

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库存:12,946(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
280 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
700 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZVP2106
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
150 mS
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZVP2106A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
1,500:¥3.5595
9,000:¥3.4239
24,000:¥3.3109
参考库存:42111
晶体管
MOSFET NFET DIE CLAMPEDFET 55V
3,500:¥8.5315
7,000:¥8.2264
10,500:¥7.91
参考库存:42114
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 50Vds 50Vdg 12Vgs
3,000:¥1.12209
6,000:¥1.12209
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.99101
45,000:¥0.96841
99,000:¥0.92999
参考库存:42117
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥31.0411
10:¥27.7415
25:¥24.973
50:¥23.8204
参考库存:42120
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥140.007
250:¥127.6335
500:¥119.4071
参考库存:42123
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