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晶体管
IPI90R1K2C3参考图片

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IPI90R1K2C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 900V 5.1A I2PAK-3 CoolMOS C3
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库存:2,097(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1642
3582.1
1,000
¥5.9325
5932.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
5.1 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
400 ns
典型接通延迟时间
70 ns
零件号别名
IPI90R1K2C3XKSA1 IPI9R1K2C3XK SP000683080
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IPI90R1K2C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
2,000:¥17.8314
4,000:查看
参考库存:5946
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥13.447
10:¥11.0627
100:¥8.5315
500:¥7.2998
1,000:¥5.763
2,500:¥5.763
参考库存:8921
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:5094
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥90.3661
10:¥81.6764
25:¥77.8344
100:¥67.6192
参考库存:4501
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
1:¥56.7034
10:¥51.2568
25:¥48.8725
100:¥42.4202
1,000:¥32.1937
2,000:查看
参考库存:5280
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