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晶体管
IPI90R1K2C3参考图片

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IPI90R1K2C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 900V 5.1A I2PAK-3 CoolMOS C3
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库存:2,097(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1642
3582.1
1,000
¥5.9325
5932.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
5.1 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
400 ns
典型接通延迟时间
70 ns
零件号别名
IPI90R1K2C3XKSA1 IPI9R1K2C3XK SP000683080
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IPI90R1K2C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
2,000:¥9.831
10,000:查看
参考库存:9743
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
参考库存:4420
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.5577
5:¥184.8793
10:¥179.1163
25:¥164.5958
参考库存:4412
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
1:¥79.2243
100:¥76.3767
500:¥72.6138
800:¥72.6138
参考库存:34965
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Silicon Transistor
1:¥4.7686
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
参考库存:9260
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