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晶体管
SI4816BDY-T1-GE3参考图片

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SI4816BDY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
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库存:1,905(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1303
3565.15
2,500
¥7.1303
17825.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
6.8 A, 11.4 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 mOhms, 18.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7.8 nC, 11.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W, 2.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI4
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
30 S, 31 S
下降时间
9 ns, 11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns, 9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns, 31 ns
典型接通延迟时间
11 ns, 13 ns
零件号别名
SI4816DY-T1-E3-S
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格,SI4816BDY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 80V NPN
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:39493
晶体管
MOSFET N-Ch, 800V-13ohms 1A
1:¥8.5315
10:¥7.232
100:¥5.5596
500:¥4.9155
参考库存:4132
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -100V -5A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,500:¥1.9662
参考库存:2920
晶体管
达林顿晶体管 Seven NPN Array
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.1809
1,000:¥1.695
2,500:¥1.4464
参考库存:7990
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥5.537
10:¥4.7686
100:¥3.3109
1,000:¥2.4634
参考库存:5340
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