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晶体管
SIHH120N60E-T1-GE3参考图片

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SIHH120N60E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
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库存:7,967(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥55.7881
55.7881
10
¥49.7878
497.878
100
¥40.8043
4080.43
250
¥37.5725
9393.125
3,000
¥25.6623
76986.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6.9 S
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
25 ns
商品其它信息
优势价格,SIHH120N60E-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8
1:¥4.6895
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
4,000:¥1.7176
参考库存:14258
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 1.7mW
1:¥66.6926
10:¥54.7146
100:¥45.4147
500:¥41.3354
参考库存:2603
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 50A 600V
1:¥278.7032
5:¥275.7765
10:¥257.0298
25:¥245.5038
参考库存:2521
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN & PNP
1:¥3.2318
10:¥2.0905
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
4,000:¥0.52206
参考库存:22268
晶体管
MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.5086
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:9876
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