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晶体管
BSC670N25NSFDATMA1参考图片

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BSC670N25NSFDATMA1

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库存:13,561(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.4418
22.4418
10
¥19.0518
190.518
100
¥15.2098
1520.98
500
¥13.2888
6644.4
5,000
¥9.9101
49550.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
59 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
OptiMOS Fast Diode
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
BSC670N25NSFD SP001107234
商品其它信息
优势价格,BSC670N25NSFDATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 60V 0.6A
1:¥1.5368
10:¥1.05316
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:54235
晶体管
MOSFET 800V, 5.5A, Single N Channel Power MOSFET
1:¥17.289
10:¥15.594
100:¥12.5995
500:¥9.831
参考库存:9011
晶体管
达林顿晶体管 NPN GP Darlington
1:¥3.2318
10:¥2.3504
100:¥1.356
1,000:¥0.9831
3,000:¥0.85315
参考库存:13998
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
5,000:¥5.2432
10,000:查看
参考库存:14071
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 3A Transistor
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,000:¥1.5029
参考库存:6489
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