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晶体管
BCY78-X参考图片

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BCY78-X

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1W
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1
¥14.0572
14.0572
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
集电极—基极电压 VCBO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.8 V
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
60 At 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
340 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
BCY78-X PBFREE
商品其它信息
优势价格，BCY78-X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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