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晶体管
TPC8407,LQ(S参考图片

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TPC8407,LQ(S

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N and P Ch 30V FET 9A 1.5W 1190pF
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库存:8,718(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.4524
8.4524
10
¥6.78
67.8
100
¥5.2093
520.93
500
¥4.5991
2299.55
2,500
¥3.2205
8051.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.4 A, 9 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms, 17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV, 1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
39 nC, 17 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.68 mm
长度
4.9 mm
系列
TPC8407
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Toshiba
下降时间
42 ns, 2.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns, 2.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns, 20 ns
典型接通延迟时间
16 ns, 7.9 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,TPC8407,LQ(S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:4271
晶体管
MOSFET
1:¥14.9047
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
1,000:¥7.3563
参考库存:3804
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
1:¥614.72
5:¥603.42
10:¥576.30
25:¥557.09
参考库存:24388
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP/ 45V/ 500mA
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:5343
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2
1:¥297.4499
5:¥282.387
10:¥277.5506
25:¥251.5719
500:¥214.6096
参考库存:24393
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