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晶体管
FF300R12KE3参考图片

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FF300R12KE3

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库存:4,545(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,056.776
1056.776
5
¥1,036.0292
5180.146
10
¥987.6991
9876.991
25
¥966.9523
24173.8075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
IS5a ( 62 mm )-7
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KE3HOSA1 SP000100736
单位重量
337 g
商品其它信息
优势价格,FF300R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - SOT-227 IGBT
160:¥520.2068
参考库存:29564
晶体管
MOSFET BUK9Y2R8-40H/SOT669/LFPAK
1,500:¥4.3844
3,000:¥3.8872
10,500:¥3.7403
参考库存:29567
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
15:¥244.6563
25:¥224.757
50:¥218.0674
100:¥207.694
参考库存:29570
晶体管
MOSFET N-Chan 30V 900mA
10,000:¥0.79891
20,000:¥0.73789
50,000:¥0.70738
100,000:¥0.67574
参考库存:29573
晶体管
MOSFET
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
参考库存:1823
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