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晶体管
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FF300R12KE3

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数量单价合计
1
¥1,056.776
1056.776
5
¥1,036.0292
5180.146
10
¥987.6991
9876.991
25
¥966.9523
24173.8075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
IS5a ( 62 mm )-7
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KE3HOSA1 SP000100736
单位重量
337 g
商品其它信息
优势价格,FF300R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.215 Ohm typ. 12.5A MDmeshM5
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
3,000:¥12.2153
6,000:查看
参考库存:36996
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥551.4852
参考库存:36999
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥268.7818
250:¥250.8826
参考库存:37002
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
暂无价格
参考库存:37005
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,232.8187
参考库存:37008
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