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晶体管
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2N6308

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 350Vceo 700Vcbo 8Vebo 8A 4A 125W
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数量单价合计
1
¥86.2868
86.2868
10
¥85.5184
855.184
25
¥77.9135
1947.8375
100
¥70.3086
7030.86
250
¥64.6247
16156.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3-2
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—射极饱和电压
5 V
增益带宽产品fT
5 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N6308
直流电流增益 hFE 最大值
60 at 3 A, 5 V
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
3 at 8 A, 5 V
Pd-功率耗散
125 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
2N6308 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N6308的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
1:¥14.0572
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:6113
晶体管
JFET 30V 10mA
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:32781
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
10:¥358.9219
参考库存:4247
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
参考库存:12199
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
1:¥15.8313
10:¥13.1419
800:¥13.1419
参考库存:5247
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