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晶体管

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BCR 562 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
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库存:21,587(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0227
20.227
100
¥0.84524
84.524
1,000
¥0.5763
576.3
3,000
¥0.45313
1359.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
500 mA
峰值直流集电极电流
500 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCR562
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327XT SP000010859
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BCR 562 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
3,000:¥10.8367
6,000:查看
参考库存:17246
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1642
参考库存:17249
晶体管
MOSFET BUK7K17-80E/SOT1205/
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2037
500:¥5.4805
参考库存:17252
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
1:¥4.6104
10:¥3.5595
100:¥2.6442
500:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.6724
参考库存:17255
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH
5,000:¥3.1866
10,000:¥3.0623
25,000:¥2.9606
参考库存:17258
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