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晶体管
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BSM25GP120

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数量单价合计
1
¥873.9759
873.9759
5
¥857.9186
4289.593
10
¥819.2726
8192.726
25
¥791.9944
19799.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
1600 V
集电极—射极饱和电压
2.55 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
230 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM25GP120BOSA1 SP000095940
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,BSM25GP120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥7.0964
3,000:¥4.972
9,000:查看
参考库存:4499
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1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:5187
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1:¥7.2998
10:¥6.1811
100:¥4.746
500:¥4.1923
2,500:¥2.938
10,000:查看
参考库存:4136
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1:¥33.9678
10:¥28.8941
100:¥25.0521
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:3567
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