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晶体管
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BSM25GP120

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库存:3,629(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥873.9759
873.9759
5
¥857.9186
4289.593
10
¥819.2726
8192.726
25
¥791.9944
19799.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
1600 V
集电极—射极饱和电压
2.55 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
230 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM25GP120BOSA1 SP000095940
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,BSM25GP120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 5.7A 0.042Ohm
1:¥6.7574
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
2,500:¥2.9154
参考库存:8913
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.9891
10:¥7.0512
100:¥5.4805
500:¥4.1019
1,000:¥3.3222
3,000:¥2.938
参考库存:5695
晶体管
MOSFET NFET 60V 20A 48MOHM
1:¥8.5315
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4465
10,000:查看
参考库存:3124
晶体管
MOSFET 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
1:¥14.5205
3,000:¥14.5205
参考库存:4604
晶体管
MOSFET N-Ch 34V 100A SON-8
1:¥6.3054
10:¥5.4353
100:¥4.181
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
5,000:¥2.9154
参考库存:6144
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