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晶体管
MG1250S-BA1MM参考图片

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MG1250S-BA1MM

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 模块 1200V 50A Dual
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库存:3,437(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥443.8301
443.8301
5
¥435.6828
2178.414
10
¥417.7045
4177.045
25
¥404.6417
10116.0425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
500 W
封装 / 箱体
Package S
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
系列
MG1250S
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
100
子类别
IGBTs
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格,MG1250S-BA1MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 BIP DPAK NPN 2A 100V TR
1:¥5.989
10:¥4.9833
100:¥3.2092
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.1696
参考库存:100922
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A DUAL
1:¥867.1394
5:¥851.229
10:¥812.8881
25:¥785.8472
参考库存:3434
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
1:¥22.2045
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.5262
5,000:¥10.7576
参考库存:24039
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.1471
10:¥3.4804
100:¥2.1244
1,000:¥1.6498
2,500:¥1.4012
参考库存:5915
晶体管
MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:3931
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