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晶体管
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STW43NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II
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¥84.75
84.75
10
¥77.9135
779.135
25
¥74.693
1867.325
100
¥65.7773
6577.73
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
88 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
255 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FDmesh
封装
Tube
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STW43NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW43NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1823
Qorvo
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10,000:¥1.7176
25,000:¥1.6498
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50:¥878.2021
参考库存:27736
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