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晶体管
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FZT1049ATC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
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数量单价合计
4,000
¥2.6442
10576.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
180 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT104
直流电流增益 hFE 最大值
280
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
280 at 10 mA, 2 V, 300 at 500 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 180 at 5 A, 2 V, 40 at 20 A, 2 V
Pd-功率耗散
2.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，FZT1049ATC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QS6J1TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
1:¥4.6895
10:¥3.8533
100:¥2.3504
1,000:¥1.8193
3,000:¥1.5481
参考库存:3997
SI2301BDS-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2301CDS-T1-GE3
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.9097
500:¥1.5594
3,000:¥1.5594
参考库存:41029
ZXTD618MCTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 20V NPN Low Sat Ic 4.5A 150mV
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:3716
STL57N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
1:¥142.7642
10:¥131.3173
25:¥125.8594
100:¥110.8756
3,000:¥81.6764
参考库存:1029
SI4164DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥12.5995
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥6.8704
2,500:¥6.8704
参考库存:5985
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