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晶体管
SIHF23N60E-GE3参考图片

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SIHF23N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥26.2838
26.2838
10
¥21.7412
217.412
100
¥17.8992
1789.92
250
¥17.3681
4342.025
500
¥16.1364
8068.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHF23N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC817-16LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 50V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.2091
100:¥0.42262
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:132052
US6M11TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET N/P-CH 20V/12V 6PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:11905
PSMN4R5-40PS,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CH 40V 4.6 mOhm Standard MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4128
500:¥6.5427
参考库存:7667
FMB200
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥3.2318
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:15485
NTD14N03RT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 25V 14A N-Channel
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
2,500:¥1.08367
参考库存:9732
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