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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92-3 Kinked Lead
直流集电极/Base Gain hfe Min	20
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	FJN3301R
封装	Ammo Pack
直流电流增益 hFE 最大值	20
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	5.33 mm
长度	5.2 mm
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	4.19 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	2000
子类别	Transistors
零件号别名	FJN3301RTA_NL
单位重量	240 mg

商品其它信息

优势价格，FJN3301RTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTA143TMFHAT2L	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-723 4.7kO Input Resist	1:¥1.5368 10:¥1.03734 100:¥0.43844 1,000:¥0.29945 2,500:¥0.23052 8,000:¥0.20001	参考库存:9707
SQS850EN-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified	1:¥7.6049 10:¥6.8139 100:¥5.424 500:¥4.2375 3,000:¥3.1866 6,000:查看	参考库存:4283
CSD19537Q3T	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100v N ch MOSFET	1:¥9.831 10:¥8.3733 100:¥6.4523 250:¥6.4523 500:¥5.6952	参考库存:17401
IPP039N10N5AKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS	1:¥26.5889 10:¥22.5887 100:¥19.5942 250:¥18.5207	参考库存:2007
FDMD85100	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET FET 100V 9.9 MOHM PQFN56	1:¥21.6734 10:¥18.3625 100:¥15.9104 250:¥15.142 3,000:¥10.8367 6,000:查看	参考库存:3285