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晶体管
DMG6601LVT-7参考图片

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DMG6601LVT-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.3278
23.278
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.8 A, 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms, 110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV, 400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12.3 nC, 13.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMG6601
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15.6 ns, 2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns, 4.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.2 ns, 18.3 ns
典型接通延迟时间
1.6 ns, 1.7 ns
单位重量
13 mg
商品其它信息
优势价格,DMG6601LVT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.7A 160V
1:¥3.5369
10:¥2.8702
100:¥1.7515
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1:¥2.7685
10:¥2.0792
100:¥1.13
1,000:¥0.84524
10,000:¥0.68365
20,000:查看
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1:¥37.3465
10:¥31.7304
100:¥27.5042
250:¥26.1256
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双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
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1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8026
500:¥6.0116
1,000:¥4.746
3,000:¥4.746
参考库存:22116
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