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晶体管
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2SC5200-O(Q)

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数量单价合计
1
¥24.8148
24.8148
10
¥19.9784
199.784
100
¥16.4415
1644.15
500
¥14.7578
7378.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
230 V
集电极—基极电压 VCBO
230 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5200
高度
26 mm
长度
20.5 mm (Max)
宽度
5.2 mm (Max)
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
Pd-功率耗散
150000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
6.800 g
商品其它信息
优势价格，2SC5200-O(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CZTA96 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Extremely High Voltage
4,000:¥1.5594
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4464
50,000:¥1.4238
参考库存:15441
NTMFD4951NFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
5,000:¥10.8367
参考库存:14443
FQD5N60CTM-WS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V, NCH MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:30772
SMPJ110A
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 5.0Vds 10mA 4.0Vgs
329:¥21.5943
500:¥19.3682
1,000:¥16.3624
2,500:¥15.5262
参考库存:30775
APTGT50TDU170PG
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,147.9896
参考库存:30778
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