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晶体管
IPB200N25N3 G参考图片

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IPB200N25N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:9,198(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.4148
47.4148
10
¥42.8722
428.722
25
¥40.8834
1022.085
100
¥35.4255
3542.55
1,000
¥26.894
26894
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
17.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
61 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPB200N25N3GATMA1 IPB2N25N3GXT SP000677896
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB200N25N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
3,000:¥1.808
6,000:查看
参考库存:15821
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:4124
晶体管
MOSFET N-Ch 12VDss 8Vgss P-Ch 8Vdss 8Vgss
10,000:¥2.4634
参考库存:15826
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
1:¥7.6049
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,000:¥3.2544
参考库存:15829
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:4632
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