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晶体管
IPB200N25N3 G参考图片

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IPB200N25N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:9,198(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.4148
47.4148
10
¥42.8722
428.722
25
¥40.8834
1022.085
100
¥35.4255
3542.55
1,000
¥26.894
26894
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
17.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
61 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPB200N25N3GATMA1 IPB2N25N3GXT SP000677896
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB200N25N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -8V Vds 8V Vgs SO-8 N&P PAIR
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
2,500:¥2.4634
参考库存:5906
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:2386
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 30V 5A
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,000:¥1.6724
参考库存:4403
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
1:¥9.2999
10:¥7.458
100:¥5.763
500:¥5.0737
2,000:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:3450
晶体管
MOSFET Dual P-Channel MOSFET
1:¥4.9946
10:¥4.9833
25:¥4.1923
100:¥3.7968
3,000:¥3.7968
参考库存:3840
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