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产品分类

晶体管
SQD40P10-40L_GE3参考图片

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SQD40P10-40L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified
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库存:6,491(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥17.8992
178.992
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.1362
6068.1
2,000
¥9.379
18758
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
96 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
78 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,SQD40P10-40L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:3453
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Digital Transtr Driver
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:6233
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
1:¥8.8366
10:¥7.3224
100:¥5.6274
500:¥4.8364
1,000:¥3.8194
3,000:¥3.5708
参考库存:2230
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥28.1257
10:¥23.8995
100:¥20.7468
360:¥19.6733
720:¥17.6732
参考库存:2927
晶体管
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
800:¥8.0682
参考库存:2539
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