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晶体管
TPH4R008NH,L1Q参考图片

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TPH4R008NH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET
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库存:6,173(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.7412
21.7412
10
¥17.515
175.15
100
¥13.9894
1398.94
500
¥12.2944
6147.2
5,000
¥9.1417
45708.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
商标名
UMOSVIII
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH4R008NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
86 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,TPH4R008NH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 30V 8.0VGS 450mA
1:¥3.0736
10:¥2.2487
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
2,500:¥0.81473
8,000:¥0.76049
参考库存:8355
晶体管
MOSFET P-Chnl 45V
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:18452
晶体管
IGBT 晶体管 1200V IGBT 81A Auto 1.37V at 33A Low VCE
1:¥46.2622
10:¥41.7987
50:¥39.8777
100:¥34.6571
参考库存:5182
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 625mW, 25V, 1500mA
1:¥1.6159
10:¥1.3334
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.23843
参考库存:108557
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS DUAL NP XSTR GP
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:16620
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