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晶体管

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FS75R12KE3G

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库存:1,043(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥921.0856
921.0856
5
¥902.9491
4514.7455
10
¥860.834
8608.34
25
¥842.7766
21069.415
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
EconoPACK 3B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KE3GBOSA1 SP000100418
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格,FS75R12KE3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:25498
晶体管
MOSFET 2.0x2.0mm PMCP Power MOSFET
1:¥8.4524
10:¥6.7122
100:¥4.5652
500:¥4.1923
7,000:¥2.9832
21,000:查看
参考库存:25501
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.91
800:¥6.4975
参考库存:25504
晶体管
JFET N-Channel 50mA
1:¥93.4397
10:¥76.614
100:¥63.5512
500:¥57.9351
参考库存:5028
晶体管
MOSFET QUAD CHANNEL VOLTAGE
1:¥4.6104
10:¥3.7968
100:¥2.4521
1,000:¥1.9549
2,500:¥1.6498
参考库存:84896
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