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晶体管
SQJQ402E-T1_GE3参考图片

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SQJQ402E-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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库存:6,708(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.5941
17.5941
10
¥16.4415
164.415
100
¥13.2888
1328.88
500
¥10.3734
5186.7
2,000
¥7.8422
15684.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
260 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
140 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
69 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格,SQJQ402E-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.4307
3,000:¥18.984
参考库存:6949
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥46.5673
10:¥39.5726
100:¥34.2729
250:¥32.5779
500:¥29.1992
参考库存:4944
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-323FL 4.7kO Input Resist
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:13156
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥6.9947
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
1,500:¥2.8476
9,000:查看
参考库存:10776
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-323FL 22kO Input Resist
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:13660
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