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晶体管
SQJQ402E-T1_GE3参考图片

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SQJQ402E-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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库存：6,708(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.5941
17.5941
10
¥16.4415
164.415
100
¥13.2888
1328.88
500
¥10.3734
5186.7
2,000
¥7.8422
15684.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
260 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
140 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
69 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格，SQJQ402E-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9875-100A/CUX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥4.9155
10:¥4.0906
100:¥2.6329
1,000:¥2.1131
2,000:¥1.7854
参考库存:41781
VRF141MP
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥744.8847
2:¥721.7536
5:¥721.5276
10:¥698.3174
参考库存:2581
F5-75R06KE3_B5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,070.3004
5:¥2,885.2629
参考库存:2614
VN2222LL-G-P013
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥3.7629
10:¥3.7403
25:¥3.164
100:¥2.8476
2,000:¥1.9436
4,000:查看
参考库存:3613
C3M0120100J
Wolfspeed / Cree
晶体管
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
1:¥67.235
100:¥64.6247
500:¥61.472
参考库存:3422
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