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晶体管
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FCX591ATA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
2,000
¥1.3334
2666.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FCX59
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 1 mA, 5 V
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 1 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 250 at 500 mA, 5 V, 160 at 1 A, 5 V, 30 at 2 A, 5 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，FCX591ATA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP2165UW-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.56839
20,000:查看
参考库存:16944
NSVTB60BDW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GENERAL PURPOSE
1:¥2.8476
10:¥2.1357
100:¥1.1639
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.75258
参考库存:8742
NTMFS4C302NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0907
500:¥5.3901
1,500:¥3.7629
9,000:查看
参考库存:16949
ADTC143ZCAQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Pre-biased Small Signal Transistor
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:16952
AUIRFR2905ZTRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 14.5mOhms
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.2998
3,000:¥5.6274
6,000:查看
参考库存:5755
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