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晶体管
APT50GT60BRDQ2G参考图片

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APT50GT60BRDQ2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
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库存:4,439(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥64.3196
64.3196
10
¥57.856
578.56
25
¥52.7145
1317.8625
100
¥47.5617
4756.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
110 A
Pd-功率耗散
446 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
110 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
110 A
栅极—射极漏泄电流
120 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT50GT60BRDQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH VOLTAGE
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.1418
500:¥9.7632
参考库存:1792
晶体管
MOSFET NFET S08FL 30V 74A 5mOhm
1:¥6.6896
10:¥5.5144
100:¥3.5708
1,000:¥2.8476
1,500:¥2.4069
参考库存:2548
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.0792
10:¥1.3673
100:¥0.56839
1,000:¥0.39211
2,000:¥0.30736
参考库存:19070
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.84524
1,000:¥0.64523
4,000:¥0.49155
参考库存:5521
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS
1:¥6.3054
10:¥5.2997
100:¥3.4239
1,000:¥2.7346
2,500:¥2.3052
参考库存:4696
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