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晶体管
STGW40V60F参考图片

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STGW40V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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库存:4,879(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1202
31.1202
10
¥26.4307
264.307
100
¥22.8938
2289.38
250
¥21.7412
5435.3
500
¥19.5151
9757.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW40V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V
1:¥21.8994
10:¥18.2156
100:¥14.1363
500:¥12.3735
2,500:¥9.5259
5,000:查看
参考库存:15601
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150mW 100mA
3,000:¥1.00683
参考库存:15604
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥119.5653
5:¥114.8758
10:¥110.5705
25:¥101.587
参考库存:15607
晶体管
JFET N-Ch -20Vgss -0.35V 10mA 300mW 1.8mW
72:¥99.0445
100:¥91.1345
250:¥83.0663
500:¥77.6875
参考库存:15610
晶体管
MOSFET 25V P-Ch Enh FET 360pD -25Vdss -8Vgss
10,000:¥0.43053
20,000:¥0.4068
参考库存:15613
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