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晶体管
2DA1201YQTC参考图片

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2DA1201YQTC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120V PNP Trans 100mA -0.8V PWR
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.2996
32.996
100
¥2.0114
201.14
1,000
¥1.5481
1548.1
4,000
¥1.3334
5333.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 120 V
集电极—基极电压 VCBO
- 120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 1 V
最大直流电集电极电流
- 800 mA
增益带宽产品fT
160 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DA12
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 800 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,2DA1201YQTC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
1:¥3.6838
10:¥2.6329
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.68365
参考库存:7164
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:9181
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 10kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:10800
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥37.1883
10:¥31.5835
100:¥27.3573
250:¥25.9674
500:¥23.278
参考库存:3852
晶体管
MOSFET 7A,20V Dual N Chann Mosfet,
1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.1639
参考库存:4838
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