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晶体管
ZXTP05120HFFTA参考图片

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ZXTP05120HFFTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 PNP 120V DARLINGTON TRANSISTR
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
3,000
¥1.4577
4373.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 10 V
集电极—基极电压 VCBO
- 140 V
最大直流电集电极电流
- 1 A
最大集电极截止电流
- 10 uA
Pd-功率耗散
2 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTP05120
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
3000
高度
1 mm
长度
3 mm
宽度
1.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
3000 at 50 mA at 5 V, 3000 at 500 mA at 5 V, 3000 at 1 A at 5 V, 2000 at 2 A at 5 V
最大工作频率
150 MHz
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
48.800 mg
商品其它信息
优势价格,ZXTP05120HFFTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
3,000:¥14.5205
参考库存:30600
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JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1:¥29.9676
10:¥24.1255
100:¥19.7524
500:¥17.7523
1,000:¥14.9838
参考库存:30603
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1,000:¥24.8939
3,000:¥23.6622
参考库存:30606
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2,500:¥7.91
5,000:¥7.684
10,000:¥7.3789
参考库存:30609
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:30612
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