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晶体管
SQJA76EP-T1_GE3参考图片

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SQJA76EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
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数量单价合计
1
¥9.2999
9.2999
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9099
590.99
500
¥5.0737
2536.85
3,000
¥3.7403
11220.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
48 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
优势价格,SQJA76EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥1.04525
20,000:¥0.9831
50,000:¥0.9605
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10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:30627
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10,000:¥1.1978
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