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晶体管
SQD50N04-4M5L_GE3参考图片

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SQD50N04-4M5L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD100N04-3M6LGE
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库存:4,267(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.1308
17.1308
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.0627
1106.27
500
¥9.6841
4842.05
2,000
¥7.4241
14848.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
105 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,SQD50N04-4M5L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
1:¥48.025
10:¥43.4146
25:¥41.4145
100:¥35.9566
参考库存:43446
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 4A 8PIN
1:¥6.9156
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
3,000:¥2.4973
参考库存:43449
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 0.15A
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:43452
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 35A 1200V
1:¥648.5296
5:¥636.6194
10:¥607.9626
25:¥587.6678
参考库存:3637
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 30V 1A 5PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:43457
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