您好！欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
晶体管
BSM200GB60DLC参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

BSM200GB60DLC

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：3,162(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥739.4268
739.4268
5
¥725.8329
3629.1645
10
¥693.1759
6931.759
25
¥670.1239
16753.0975
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
445 W
封装 / 箱体
32 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GB60DLCHOSA1 SP000100475
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格，BSM200GB60DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3584
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥243.8088
250:¥227.5255
参考库存:31586
TK20A60U(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch FET 600V 12s IDSS 100 uA
暂无价格
参考库存:31589
DCX56-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W 80Vceo
2,500:¥1.00683
参考库存:31592
SMPJ112A
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 5.0mA 1.0Vgs 5.0Vds
1:¥26.9731
10:¥21.6734
100:¥17.8314
500:¥15.9782
参考库存:31595
TIP111-BP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 80V
5,000:¥3.7629
参考库存:31598
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话：0755-82813018

手机：19129911934

传真：0755-83267787

Email: Ruby@yichuanghui.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82813018

微信联系我们 微信扫码联系我们