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晶体管
BSM200GB60DLC参考图片

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BSM200GB60DLC

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库存:3,162(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥739.4268
739.4268
5
¥725.8329
3629.1645
10
¥693.1759
6931.759
25
¥670.1239
16753.0975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
445 W
封装 / 箱体
32 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GB60DLCHOSA1 SP000100475
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格,BSM200GB60DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
参考库存:7884
晶体管
IGBT 晶体管 SA2TIGBT TO3PN 25A 1250V
1:¥30.8151
10:¥26.2047
100:¥22.7469
250:¥21.5152
参考库存:2831
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
参考库存:12729
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:8275
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET I-PAK
1:¥17.6732
10:¥14.6787
100:¥11.3678
500:¥9.9892
1,000:¥8.2942
参考库存:5856
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