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晶体管
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DMG2302U-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.2148
22.148
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.89948
899.48
3,000
¥0.77631
2328.93
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.2 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMG2302
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28.1 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
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