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晶体管
CDM22012-800LRFP SL参考图片

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CDM22012-800LRFP SL

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 800V N-Ch LR FET 12A 30Vgs 12A 7.6nC
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数量单价合计
1
¥26.3516
26.3516
10
¥23.5944
235.944
100
¥21.4361
2143.61
250
¥19.3682
4842.05
500
¥15.6731
7836.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
370 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
52.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UltraMOS
封装
Tube
产品
Power MOSFETs
系列
CDM
晶体管类型
1 N-Channel
类型
LR Power MOSFET
商标
Central Semiconductor
下降时间
42.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
44.8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
171.2 ns
典型接通延迟时间
21.1 ns
商品其它信息
优势价格，CDM22012-800LRFP SL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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