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晶体管
DMN2300UFL4-7参考图片

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DMN2300UFL4-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7685
27.685
100
¥1.5029
150.29
1,000
¥1.13
1130
3,000
¥0.97632
2928.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN1310-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.11 A
Rds On-漏源导通电阻
195 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
530 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN23
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
单位重量
0.800 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2300UFL4-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 80V 50W PNP
1:¥6.5314
10:¥5.5709
100:¥4.2827
500:¥3.7855
1,000:¥2.9945
参考库存:5369
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥1.4577
10:¥1.3108
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:67093
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3111
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
3,000:¥4.9607
参考库存:12303
晶体管
MOSFET 200V NChannel UniFET
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1472
500:¥5.4353
1,000:¥4.2827
2,500:¥4.0906
参考库存:5306
晶体管
MOSFET TRNSISTR DUAL MOSFET
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
8,000:¥0.86106
24,000:查看
参考库存:16071
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