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晶体管
DMG1016UDW-7参考图片

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DMG1016UDW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.066 A, 845 mA
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms, 750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
736.6 nC, 622.4 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
330 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMG1016
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12.3 ns, 20.72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns, 8.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.7 ns, 28.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 5.1 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,DMG1016UDW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP NPN/PNP 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
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1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:5599
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS XSTR HV 300V TR
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:12643
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1:¥53.788
10:¥53.3247
25:¥48.5674
100:¥43.7988
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晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥156.3694
5:¥149.3747
10:¥144.6852
25:¥132.9332
参考库存:2442
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