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晶体管
IRGS6B60KDPBF参考图片

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IRGS6B60KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT
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数量单价合计
1
¥20.3626
20.3626
10
¥17.289
172.89
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.0684
6034.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
18 A
Pd-功率耗散
90 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RC
封装
Tube
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001542298
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRGS6B60KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC75 BR XSTR PNP
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:106916
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:4918
晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
50:¥2,375.5086
参考库存:22533
晶体管
JFET N-Ch JFET -50V 20mA 50mA Current Reg
1:¥77.066
10:¥63.167
100:¥52.4094
500:¥47.799
参考库存:22536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥356.3794
2:¥346.7066
5:¥337.1016
10:¥327.4966
参考库存:2026
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