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晶体管
IRGS6B60KDPBF参考图片

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IRGS6B60KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT
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库存:2,568(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.3626
20.3626
10
¥17.289
172.89
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.0684
6034.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
18 A
Pd-功率耗散
90 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RC
封装
Tube
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001542298
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,IRGS6B60KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
1:¥3.2996
10:¥2.1809
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:20606
晶体管
IGBT 模块 EconoPACK4 200A 1200V
1:¥1,647.8338
5:¥1,608.2612
参考库存:4614
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥23.4362
10:¥19.436
100:¥15.0629
500:¥13.221
3,000:¥13.221
参考库存:7428
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
5,000:¥5.65
10,000:查看
参考库存:14612
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V NPN
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:103205
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